Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 100 (2014) | ISSUE 4 | PAGE 281
Анизотропия проводимости и степенной вид вольт-амперных характеристик вдоль и поперек слоев квазиодномерного слоистого полупроводника TiS3
Abstract
В слоистых вискерах квазиодномерного полупроводника TiS3 обнаружена нелинейная проводимость вдоль кристаллографической оси c в направлении поперек слоев. Показано, что во всех трех направлениях, вдоль осей a, b и c, вольт-амперные характеристики описываются степенным законом с показателем степени, увеличивающимся с понижением температуры. Рассматриваются возможные механизмы нелинейной проводимости: движение конденсированных электронов, возбуждение и разрыв электронно-дырочных пар в 2D-слоях, межслоевое туннелирование в условиях кулоновской блокады с растеканием заряда в слоях.