Home
| VOLUME 100 (2014) | ISSUE 4 | PAGE 281 |
|---|
|
Анизотропия проводимости и степенной вид вольт-амперных характеристик вдоль и поперек слоев квазиодномерного слоистого полупроводника TiS3
И. Г. Горлова, С. Г. Зыбцев, В. Я. Покровский
Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
Abstract
В слоистых вискерах квазиодномерного полупроводника TiS3 обнаружена нелинейная проводимость вдоль кристаллографической оси c в направлении поперек слоев. Показано, что во всех трех направлениях, вдоль осей a, b и c, вольт-амперные характеристики описываются степенным законом с показателем степени, увеличивающимся с понижением температуры. Рассматриваются возможные механизмы нелинейной проводимости: движение конденсированных электронов, возбуждение и разрыв электронно-дырочных пар в 2D-слоях, межслоевое туннелирование в условиях кулоновской блокады с растеканием заряда в слоях. |