Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 100 (2014) | ISSUE 5 | PAGE 343
Сверхизлучение вырожденного экситонного газа в полупроводниках с непрямым краем собственного поглощения
DOI: 10.7868/S0370274X14170044
Abstract
Предсказана возможность формирования состояний, обладающих сверхизлучающими свойствами, в вырожденном экситонном газе полупроводников с непрямым краем собственного поглощения. Соответствующее сверхизлучение вызвано процессами четырехчастичной рекомбинации. Оно возникает при энергиях кванта, примерно вдвое превышающих ширину запрещенной зоны. Представлены экспериментальные данные, подтверждающие возможность регистрации сверхизлучения для SiGe/Si квантовых ям.