Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 100 (2014) | ISSUE 9 | PAGE 648
Аномальный эффект Холла в 2D-гетероструктуре: квантовая яма GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным δ-слоем Mn
DOI: 10.7868/S0370274X14210073
Abstract
Проведен анализ магнитополевых и температурных зависимостей аномальной компоненты холловского сопротивления гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и отдаленным от нее δ-слоем магнитной примеси (Mn). Сопоставление с температурной зависимостью продольного сопротивления выявило наличие трех температурных диапазонов, в которых проявляются три разных механизма аномального эффекта Холла. Представленные результаты можно рассматривать как экспериментальное подтверждение существенной роли собственного (intrinsic) механизма аномального эффекта Холла в двумерной системе.