Home
| VOLUME 100 (2014) | ISSUE 9 | PAGE 648 |
|---|
|
Аномальный эффект Холла в 2D-гетероструктуре: квантовая яма GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным δ-слоем Mn
Л. Н. Овешников+, В. А. Кульбачинский+*, А. Б. Давыдов×, Б. А. Аронзон+×
+Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия *Кафедра физики низких температур, МГУ им. Ломоносова, 119991 Москва, Россия ×Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
Проведен анализ магнитополевых и температурных зависимостей аномальной компоненты холловского сопротивления гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и отдаленным от нее δ-слоем магнитной примеси (Mn). Сопоставление с температурной зависимостью продольного сопротивления выявило наличие трех температурных диапазонов, в которых проявляются три разных механизма аномального эффекта Холла. Представленные результаты можно рассматривать как экспериментальное подтверждение существенной роли собственного (intrinsic) механизма аномального эффекта Холла в двумерной системе. |