Исследование проникновения оптических колебаний, локализован-ных в слоях периодических структур GaAs/AlAs в барьер по спектрам отражения
Пусеп Ю.А., Милехин А.Г., Мошегов Н.Т., Тихомиров В.В., Торопов А.И.
По спектрам отражения исследованы оптические колебательные моды, локализованные в слоях GaAe периодических структур (GaAe)n(AlAs)m. Представлены спектры, свидетельствующие о частичном проникновении фононов GaAe в соседние слои А1Ая. В рамках модели линейной цепочки определена глубина проникновения.