JETP Letters: issues online

Обнаружено терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении кристаллов кремния, легированного литием, при гелиевых температурах. Показано, что в спектре излучения преобладают линии, обусловленные оптическими переходами электронов из 2P возбужденных состояний центров лития на 1S(A₁)-состояние примеси. Сильное подавление терагерцового излучения, связанного с переходами в наинизшее состояние донора 1S(E+T₂), в сравнении с излучением, обусловленным переходами в 1S(A₁)-состояние, объясняется перепоглощением излучения. В спектре наблюдаются и более слабые линии терагерцового излучения, которые могут быть отнесены к внутрицентровым переходам в донорах, обусловленным комплексами Li-O. В спектре излучения видны также линии при ${\sim} 12.7$ и ${\sim} 15.3$ мэВ, которые, возможно, обусловлены внутриэкситонными излучательными переходами и переходами из континуума в основное состояние экситонов.