Home
| VOLUME 100 (2014) | ISSUE 12 | PAGE 900 |
|---|
|
Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
В. Я. Алешкин*+, Н. В. Дикарева×, А. А. Дубинов*+, С. А. Денисов*×, З. Ф. Красильник*+, К. Е. Кудрявцев*+, С. А. Матвеев ×, С. М. Некоркин×, В. Г. Шенгуров*×
*Институт физики микроструктур РАН, 603950 Н.Новгород, Россия +Нижегородский государственный университет им. Лобачевского, 603950 Н.Новгород, Россия ×Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Лобачевского, 603950 Н.Новгород, Россия
Abstract
Методом "горячей проволоки" (HW-CVD) созданы совершенные искусственные подложки Ge/Si, на которых методом MOCVD выращены гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. Изучены спектры фотолюминесценции этих гетероструктур. Обнаружено стимулированное излучение в ближнем инфракрасном диапазоне при оптической накачке. Определены пороговые мощности возбуждения стимулированного излучения и изменение спектрального состава излучения в зависимости от мощности оптической накачки. |