Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 100 (2014) | ISSUE 12 | PAGE 913
Сечение поглощения для перехода 4I15/2→4I13/2 ионов Er3+ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI
DOI: 10.7868/S0370274X14240102
Abstract
Проведены прямые измерения оптических потерь, обусловленных взаимодействием излучения с оптически активными ионами Er3+ в эпитаксиальных волноводных структурах Si:Er/SOI. Сечение излучательного перехода 4I13/2 → 4I15/2 иона Er3+ оценено на уровне \sigma_{300 \text{K}}\sim 8\cdot10^{-19} см2 при T=300 K и \sigma_{10 \text{K}}\sim 10^{-17} см2 при T=10 K.