Возникновение релаксорного поведения
Р. Ф. Мамин+*, Т. С. Шапошникова*
+Казанский (Приволжский) федеральный университет, 420008 Казань, Россия
*Казанский физико-технический институт им. Завойского КазНЦ РАН, 420029 Казань, Россия
Abstract
Предложена модель возникновения релаксорного поведения в
Pb1-yLay(Zr1-xTix)1-y/4O3 при изменении
концентрации лантана.
Получено объяснение температурного поведения диэлектрической
проницаемости в области размытого фазового перехода и дисперсии
диэлектрических свойств, связанное с учетом
динамики локализации заряда на дефектах.
Рассмотрение проведено на основе простых термодинамических соображений в
рамках теории фазовых переходов Гинзбурга-Ландау в системе с дефектами.