Особенности поглощения микроволнового излучения двумерными электронными системами на гармониках циклотронного резонанса
С. И. Дорожкин, А. А. Капустин
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
На гармониках циклотронного резонанса обнаружены
экстремумы поглощения микроволнового излучения двумерной
электронной системой в гетероструктуре GaAs/AlGaAs с затвором.
Экстремумы на второй и третьей гармониках существуют во всей
исследованной области частот излучения (38-145 ГГц) и
изменяются с минимумов поглощения на максимумы при понижении
частоты и повышении температуры. Минимумы объясняются поглощением
микроволнового излучения с возбуждением бернштейновских мод,
имеющих щели в спектре вблизи гармоник циклотронного резонанса.
Обсуждаются особенности этих мод в полевых транзисторах с
двумерными электронными системами.