Home
| VOLUME 101 (2015) | ISSUE 2 | PAGE 112 |
|---|
|
Спектральная зависимость анизотропной пикосекундной фотопроводимости в кубических полупроводниках
Ю. В. Малевич, Р. Адомавичюс, А. Кроткус, В. Пачебутас, В. Л. Малевич+*
Center for Physical Sciences and Technology, 01108 Vilnius, Lithuania +Институт физики им. Степанова НАН Беларуси, 220072 Минск, Беларусь *Университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 С.-Петербург, Россия
Abstract
Методом "оптическое возбуждение - терагерцовое зондирование" исследована спектральная зависимость анизотропной пикосекундной фотопроводимости в кубическом полупроводнике InGaAs, возбуждаемом фемтосекундным лазерным излучением. Показано, что анизотропия фотопроводимости, обусловленная эффектом выстраивания фотовозбужденных носителей заряда по импульсам и зависимостью их подвижности от энергии, немонотонным образом зависит от энергии кванта возбуждающего оптического излучения и достигает максимальной величины при энергии возбуждающих фотонов вблизи порога перехода электронов в боковые долины. |