Электрические инжекция и детектирование спин-поляризованных электронов в латеральных спиновых клапанах на гетеропереходах ферромагнитный металл-полупроводник InSb
Н. А. Виглин, В. В. Устинов, В. М. Цвелиховская, Т. Н. Павлов
Институт физики металлов им. Михеева УрО РАН, 620990 Екатеринбург, Россия
Abstract
Создано латеральное спинтронное устройство на полупроводнике InSb с
инжектором и детектором спин-поляризованных электронов (изготовленными из Fe),
отделенными от полупроводникового канала
туннельным барьером из MgO. Продемонстрированы электрические инжекция
и детектирование спин-поляризованных электронов в одном устройстве. На основании
измерений эффекта Ханле получены данные о параметрах спиновой подсистемы
электронов проводимости
полупроводника InSb и спиновой поляризации инжектированных электронов в
полупроводнике
на гетеропереходе Fe/MgO/InSb.