Home
| VOLUME 101 (2015) | ISSUE 2 | PAGE 136 |
|---|
|
Аномальный эффект Холла в разбавленном магнитном полупроводнике In1-xMnxSb с кластерами MnSb
Е. И. Яковлеваa,b, Л. Н. Овешников c, А. В. Кочура d, К. Г. Лисунов e, Э. Лахдеранта f 2), Б. А. Аронзон b,c
aМосковский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия bФизический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия cНациональный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия dЮго-Западный государственный университет, 305040 Курск, Россия eInstitute of Applied Physics ASM, MD-2028 Kishinev, Moldova fLappeenranta University of Technology, 53851 Lappeenranta, Finland
Abstract
В работе исследовались поликристаллы InSb:Mn с разным содержанием Mn. В образцах зафиксировано наличие двух ферромагнитных фаз: нанокластеров MnSb с  К и магнитной матрицы InMnSb с Tc ниже 10 К.
Полученные магнитополевые зависимости холловского сопротивления демонстрируют
нелинейное поведение в широком диапазоне температур. При высоких температурах
это объясняется наличием двух типов носителей заряда - легких и тяжелых
дырок. При температурах ниже температуры Кюри матрицы InMnSb наблюдается
аномальный эффект Холла, дающий вклад в нелинейное поведение холловского
сопротивления. Ферромагнитные кластеры MnSb не вносят вклада в аномальный
эффект Холла. Их наличие не приводит к спиновой поляризации носителей заряда
из-за окружающего эти кластеры барьера Шоттки, который препятствует их
взаимодействию с носителями заряда. Предложен способ выделения аномальной
холловской компоненты при наличии в холловском сопротивлении нелинейного
вклада иной природы.
|