Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 101 (2015) | ISSUE 2 | PAGE 136
Аномальный эффект Холла в разбавленном магнитном полупроводнике In1-xMnxSb с кластерами MnSb
Abstract
В работе исследовались поликристаллы InSb:Mn с разным содержанием Mn. В образцах зафиксировано наличие двух ферромагнитных фаз: нанокластеров MnSb с T_c\approx600 К и магнитной матрицы InMnSb с Tc ниже 10 К. Полученные магнитополевые зависимости холловского сопротивления демонстрируют нелинейное поведение в широком диапазоне температур. При высоких температурах это объясняется наличием двух типов носителей заряда - легких и тяжелых дырок. При температурах ниже температуры Кюри матрицы InMnSb наблюдается аномальный эффект Холла, дающий вклад в нелинейное поведение холловского сопротивления. Ферромагнитные кластеры MnSb не вносят вклада в аномальный эффект Холла. Их наличие не приводит к спиновой поляризации носителей заряда из-за окружающего эти кластеры барьера Шоттки, который препятствует их взаимодействию с носителями заряда. Предложен способ выделения аномальной холловской компоненты при наличии в холловском сопротивлении нелинейного вклада иной природы.