О кулоновской задаче в графене со щелью в электронном спектре
В. М. Кулешов, В. Д. Мур, Н. Б. Нарожный, А. М. Федотов, Ю. Е. Лозовик+ 1)
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
+Институт спектроскопии РАН, 142190 Троицк, Россия
Abstract
Рассмотрены свойства носителей заряда в графене на подложке SiC,
допированном примесью с зарядом Z. Для модифицированного на малых
расстояниях кулоновского потенциала получены замкнутые аналитические
уравнения, определяющие спектр носителей. Определены критические значения
заряда Zcr, при которых уровень с данными квантовыми числами достигает
границы валентной зоны. При Z<Zcr для низших значений орбитального
момента получена зависимость положения уровня энергии связанного состояния от
заряда Z. При Z>Zcr вычислены положение и ширина низшего
квазистационарного состояния, а также изучен вопрос об экранировке заряда
примеси.