Двумерные электроны кремниевых полевых структур ориентации (100) в области малой концентрации и высокой подвижности
В. Т. Долгополов
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
Проведен сравнительный анализ экспериментальных данных,
относящихся к области высокой проводимости
и сильного межэлектронного взаимодействия в (100)-Si MOSFET. Продемонстрирована
возможность описания электронов с помощью модели невзаимодействующего газа с
перенормированной массой и фактором Ланде, позволяющей делать экспериментально
проверяемые предсказания.