Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-121
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 101 (2015) | ISSUE 5 | PAGE 360
Поверхностные состояния в HgTe квантовой яме и рассеяние на шероховатостях
DOI: 10.7868/S0370274X15050094
Abstract
Проведено детальное исследование рассеяния двумерных электронов в широких (d=(18-22) нм) квантовых ямах на основе HgTe. Обнаружены выход на максимум и последующее падение подвижности при концентрациях двумерных электронов, превышающих (2-6) • 1011 см-2, вызванные рассеянием на шероховатостях квантовой ямы. Построена теория рассеяния на этих шероховатостях, принимающая в расчет трансформацию волновой функции с ростом электронной концентрации. Получено хорошее согласие эксперимента и указанной теории. На основе этого сделан вывод о существовании поверхностных состояний на границах широкой HgTe квантовой ямы.