Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 101 (2015) | ISSUE 6 | PAGE 412
Нелокальный и локальный механизмы цезий-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности p-GaAs(Cs,O)
DOI: 10.7868/S0370274X15060041
Abstract
Установлено, что вероятность Cs-индуцированной хемосорбции молекулярного кислорода на поверхности p-GaAs(Cs) определяется в основном вероятностью диссоциации молекулы во время ее столкновения с поверхностью. При увеличении количества адсорбированного кислорода на поверхности p-GaAs(Cs,О) вероятность его хемосорбции снижается и в зависимости от величины цезиевого покрытия может либо по-прежнему определяться вероятностью диссоциации молекулы, либо ограничиваться вероятностью "захвата" атомов кислорода локальными центрами хемосорбции, либо зависеть от этих двух процессов.