Home
| VOLUME 101 (2015) | ISSUE 6 | PAGE 412 |
|---|
|
Нелокальный и локальный механизмы цезий-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности p-GaAs(Cs,O)
В. В. Бакин, К. В. Торопецкий, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов
Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Установлено, что вероятность Cs-индуцированной хемосорбции молекулярного кислорода на поверхности p-GaAs(Cs) определяется в основном вероятностью диссоциации молекулы во время ее столкновения с поверхностью. При увеличении количества адсорбированного кислорода на поверхности p-GaAs(Cs,О) вероятность его хемосорбции снижается и в зависимости от величины цезиевого покрытия может либо по-прежнему определяться вероятностью диссоциации молекулы, либо ограничиваться вероятностью "захвата" атомов кислорода локальными центрами хемосорбции, либо зависеть от этих двух процессов. |