Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-121
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 101 (2015) | ISSUE 6 | PAGE 453
Длинноволновый сдвиг края поглощения в растянутых слоях Ge
DOI: 10.7868/S0370274X15060120
Abstract
Тонкие растянутые пленки Ge в многослойных гетероструктурах InGaAs/Ge/InGaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках GaAs (001), исследованы с применением методов спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии пропускания света. Растягивающие двуосные деформации в пленках достигали 1.9 растянутых пленках Ge обнаружен сдвиг края поглощения в длинноволновую область. Оптическая щель уменьшается до {\sim} 0.48 эВ.