Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-121
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 101 (2015) | ISSUE 7 | PAGE 522
Проводимость латерального p-n-перехода в двумерных структурах HgTe с инвертированным спектром: роль краевых состояний
DOI: 10.7868/S0370274X15070103
Abstract
Измерена проводимость латерального p-n-перехода в двумерных структурах HgTe с инвертированным спектром. Показано, что в квантовых ямах толщиной 8-10 нм клейновское туннелирование не очень эффективно и не мешает выделить вклад краевых состояний в проводимость. Разделение вкладов p-n-перехода и краевых состояний возможно при одновременном измерении сопротивлений области p-n-переходов на каналах с существенно различной шириной.