Распределение заряда в высокотемпературных сверхпроводниках
Кусмарцев Ф.В., Хомский Д.И.
Показано, что в сверхпроводнике с двумя группами электронов (например, дырки в СиО 2-плоскостях и в "резервуаре* β ВТ СП) существует эффект перераспределения заряда при переходе одной из подсистем в сверхпроводящее состояние: концентрация "активных" носителей увеличивается при Τ <ТС. Этот эффект может объяснить ряд структурных аномалий в ВТСП, вызывает изменение температурной зависимости свойств сверхпроводника, может привести к ряду эффектов на контакте ВТСП с нормальными металлами и сверхпроводниками.
Home
![](/ps/208/article_3515_800_head.png "<b>Показано, что в сверхпроводнике с двумя группами электронов (например, дырки в СиО </b><b>2</b><b>-плоскостях и в "резервуаре* β </b>ВТ СП) <b>существует эффект перераспределения заряда при переходе одной из подсистем в сверхпроводящее состояние: концентрация "активных" носителей увеличивается при </b><b><i>Τ <Т<sub>С</sub>. </i></b><b>Этот эффект может объяснить ряд структурных аномалий в </b>ВТСП, <b>вызывает изменение температурной зависимости свойств сверхпроводника, может привести к ряду эффектов на контакте ВТСП с нормальными металлами и сверхпроводниками.</b>")