Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 101 (2015) | ISSUE 11 | PAGE 846
Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа
Abstract
Методом фототоковой спектроскопии изучены электронные состояния в многослойных гетероструктурах Ge/Si с различным периодом расположения слоев квантовых точек Ge. Обнаружено увеличение энергии связи электронов при уменьшении толщины кремниевого спэйсера и растяжении слоев Si вблизи вершин нанокластеров Ge. Полученные результаты являются экспериментальным свидетельством деформационного механизма происхождения локализованных электронных состояний в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа.