Home
| VOLUME 101 (2015) | ISSUE 11 | PAGE 846 |
|---|
|
Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа
А. И. Якимов+*, В. В. Кириенко+, А. А. Блошкин+×, В. А. Армбристер+, А. В. Двуреченский+×
+Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия ×Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Методом фототоковой спектроскопии изучены электронные состояния в многослойных гетероструктурах Ge/Si с различным периодом расположения слоев квантовых точек Ge. Обнаружено увеличение энергии связи электронов при уменьшении толщины кремниевого спэйсера и растяжении слоев Si вблизи вершин нанокластеров Ge. Полученные результаты являются экспериментальным свидетельством деформационного механизма происхождения локализованных электронных состояний в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа. |