Спектры инфракрасного отражения и нарушенного полного внутреннего отражения топологического изолятора Bi 2Se 3
Н. Н. Новикова+, В. А. Яковлев+, И. В. Кучеренко*
+Институт спектроскопии РАН, 142190 Троицк, Россия
*Физический институт РАН им. Лебедева, 119991 Москва, Россия
Abstract
Измерены спектры инфракрасного отражения и нарушенного полного
внутреннего отражения пленки топологического изолятора
(111)Si/Bi2Se3. Методом дисперсионного анализа спектров отражения
получены параметры плазмонов и фононов в приповерхностных слоях у границы
раздела Si - пленка. Обнаружено, что концентрация носителей у границы
раздела значительно превышает концентрацию в объеме пленки. Определены
дисперсионные зависимости поверхностных поляритонов и волноводных мод.