Фотонно-стимулированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт в микроволновом поле
O. А. Ткаченко+, B. А. Ткаченко+*, З. Д. Квон+*
+Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Численным решением нестационарного уравнения Шредингера
показано, что коэффициент прохождения электрона через
одномерный плавный барьер в высокочастотном поле может
увеличиваться на порядки в туннельном режиме и сильно
уменьшаться в открытом режиме. При этом основной вклад
вносят переходы с поглощением или испусканием нескольких
фотонов. Найденным эффектом можно объяснить недавно
обнаруженный сильный рост кондактанса туннельного
точечного контакта при облучении структуры микроволнами.