Исследование краевых магнитоплазменных возбуждений в двумерной электронной системе с сильным экранированием
С. И. Губарев+, В. М. Муравьев+, И. В. Андреев+, В. Н. Белянин+*, И. В. Кукушкин+
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
*Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
Abstract
Методом оптического детектирования исследована дисперсия плазменных и
магнитоплазменных возбуждений в двумерных электронных системах с
близко расположенным задним затвором. В образцах в форме дисков
экспериментально наблюдались как циклотронное, так и краевое экранированные
магнитоплазменные возбуждения. Установлено, что магнитополевое поведение
обеих мод хорошо согласуется с существующей теорией, описывающей дисперсию
экранированных магнитоплазменных возбуждений. Показано, что в сильном
магнитном поле дисперсия экранированных магнитоплазменных возбуждений имеет
квадратичный характер. Это позволяет поставить в соответствие
магнитоплазменной волне квазичастицу с массой, обладающей целым рядом
уникальных свойств.