Home
| VOLUME 102 (2015) | ISSUE 11 | PAGE 830 |
|---|
|
Период осцилляций фотопроводимости и динамика заряда квантовых точек в p-i-n GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах
Ю. Н. Ханин+, Е. Е. Вдовин+, О. Макаровский*, M. Хенини× 2)
+Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия *School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, NG7 2RD Nottingham, UK ×School of Physics and Astronomy, Nottingham Nanotechnology and Nanoscience Centre, University of Nottingham, NG7 2RD Nottingham, UK
Abstract
Изучены квантовые осцилляции фотопроводимости в p-i-n GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах с квантовыми точками. На основе простой электростатической модели показано доминирующее влияние динамики накопления заряда фотовозбужденных дырок на квантовых точках на период осцилляций и их эволюцию с изменением мощности освещения в целом. Исследования температурных зависимостей осцилляционной структуры вольт-амперных характеристик подтвердили нашу интерпретацию. |