Перенормировка закона дисперсии носителей в плотной электронно-дырочной системе в InGaAs квантовой яме
Бутов Л.В., Кулаковский В.Д., Андерсон Т.Г., Чей З.Г.
Исследовано излучение квазидв у мерной электронно-дырочной системы в InGaAs квантовой яме при низких температурах и высоких плотностях возбуждения. Определены величины перенормировок ширины запрещенной зоны и приведенной массы электронов и дырок вследствие многочастичных эффектов.