Home
| VOLUME 103 (2016) | ISSUE 2 | PAGE 128 |
|---|
|
Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs
И. В. Алтухов+, С. Е. Дижур+, М. С. Каган+, С. К. Папроцкий+, Н. А. Хвальковский+ А. Д. Буравлев*, А. П. Васильев*, Ю. М. Задиранов*, Н. Д. Ильинская*, А. А. Усикова*, В. М. Устинов*
+Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия *Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 194021 С. Петербург, Россия
Abstract
Исследовалась минизонная проводимость в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs с ТГц-резонатором. На вольт-амперных характеристиках при некотором пороговом напряжении наблюдалось скачкообразное уменьшение тока, вызванное образованием электрических доменов. Обнаружено, что при изменении параметров резонатора это пороговое напряжение существенно меняется. Предложено объяснение, связывающее сдвиг порога с возбуждением в резонаторе колебаний значительной амплитуды. |