Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 103 (2016) | ISSUE 3 | PAGE 189
Кремний-кремниевая Si-Si-связь как глубокая ловушка для электронов и дырок в нитриде кремния
DOI: 10.7868/S0370274X16030061
Abstract
Предложена двухстадийная модель захвата электронов и дырок на ловушки в аморфном нитриде кремния Si3N4. В приближении сильной связи без использования подгоночных параметров рассчитана электронная структура собственного дефекта "Si-Si-связь" в Si3N4. Найдено объяснение таким свойствам Si-Si-связи, как гигантское сечение захвата электронов и дырок и гигантское время жизни захваченных носителей. Показано, что в нейтральном состоянии Si-Si-связь дает мелкие уровни вблизи дна зоны проводимости и верха валентной зоны, обладающие большим сечением захвата. При захвате на нее электрона или дырки за счет поляронного эффекта и изменения области локализации валентных электронов атомов Si-Si-связи происходит сдвиг мелких уровней в запрещенную зону на величину 1.4-1.5 эВ. В расчетах использован предложенный авторами новый способ параметризации матричных элементов гамильтониана сильной связи, учитывающий изменение области локализации валентных электронов изолированного атома при его встраивании в твердое тело.