Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 103 (2016) | ISSUE 3 | PAGE 209
Температурная зависимость глубины проникновения магнитного поля при наличии дисперсии у параметров порядка сверхпроводимости и волн зарядовых плотностей
DOI: 10.7868/S0370274X16030103
Abstract
Предложена формула для расчета температурной зависимости лондоновской глубины проникновения магнитного поля в режиме сосуществования волн зарядовых плотностей (ВЗП) и сверхпроводимости (СП) с учетом зависимости обоих параметров порядка от волнового вектора. Показано, что из-за зависимости параметра порядка ВЗП от волнового вектора в системе сохраняются аномально большой диамагнитный отклик и конечное значение плотности сверхпроводящего тока даже при T_c\leq T\leq T_{\text{CDW}}.