JETP Letters: issues online

Исследована температурная эволюция (10-500 К) спектров неупругого рассеяния света электронными и фононными возбуждениями в полупроводнике FeSi. Частотная зависимость спектра электронного рассеяния демонстрирует исчезающую интенсивность в области до 500-600 см^-1 при низких температурах, свидетельствуя о наличии щели величиной $\sim$ 70 мэВ. Расчеты спектра электронных возбуждений, выполненные на основе электронной структуры, полученной с помощью метода LDA+DMFT (приближение локальной электронной плотности + динамическое среднее поле), удовлетворительно описывают экспериментальные данные при низких температурах и подтверждают, что FeSi относится к веществам со средней величиной электронных корреляций. Изменения формы спектра электронных возбуждений и собственных энергий оптических фононов указывают на переход в металлическое состояние при увеличении температуры выше 100 К. Анализ экспериментальных результатов свидетельствует о существенном уменьшении времени жизни электронов с ростом температуры, определяющем переход изолятор-плохой металл.