Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 103 (2016) | ISSUE 5 | PAGE 359
Неупругое рассеяние света электронными и фононными возбуждениями FeSi
Abstract
Исследована температурная эволюция (10-500 К) спектров неупругого рассеяния света электронными и фононными возбуждениями в полупроводнике FeSi. Частотная зависимость спектра электронного рассеяния демонстрирует исчезающую интенсивность в области до 500-600 см-1 при низких температурах, свидетельствуя о наличии щели величиной \sim 70 мэВ. Расчеты спектра электронных возбуждений, выполненные на основе электронной структуры, полученной с помощью метода LDA+DMFT (приближение локальной электронной плотности + динамическое среднее поле), удовлетворительно описывают экспериментальные данные при низких температурах и подтверждают, что FeSi относится к веществам со средней величиной электронных корреляций. Изменения формы спектра электронных возбуждений и собственных энергий оптических фононов указывают на переход в металлическое состояние при увеличении температуры выше 100 К. Анализ экспериментальных результатов свидетельствует о существенном уменьшении времени жизни электронов с ростом температуры, определяющем переход изолятор-плохой металл.