Home
| VOLUME 103 (2016) | ISSUE 7 | PAGE 527 |
|---|
|
Распределение электрического поля в квантовой сверхрешетке с инжектирующим контактом: точное решение1)
В. А. Максименко+*, В. В. Макаров+, А. А. Короновский*, А. Е. Храмов+*, Р. Венкевичиюс× 2), Г. Валушис× 2), А. Г. Баланов+°, Ф. В. Кусмарцев°, К. Н. Алексеев° 3)
+ Саратовский государственный технический университет им. Гагарина, 410054 Саратов, Россия * Саратовский государственный университет им. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия ×Terahertz Photonics Laboratory, Center for Physical Sciences and Technology, LT-01108 Vilnius, Lithuania °Department of Physics, Loughborough University, LE11 3TU Loughborough, United Kingdom
Abstract
Рассматривается простейшая модель, описывающая стационарный электронный транспорт через квантовую сверхрешетку конечной длины при учете произвольной электрической характеристики инжектирующего контакта. В рамках одноминизонного приближения получены точные формулы, описывающие пространственные распределения электрического поля в сверхрешетке для различных типов контактов. Найдены условия, при которых поле становится однородным. Получены аналитические выражения для вольт-амперных характеристик. В качестве одного из приложений развитой теории оценивается возможность достижения однородного поля в диодной структуре с естественной сверхрешеткой карбида кремния. |