Аномальный эффект Холла в поликристаллических пленках Si 1-xMn x с самоорганизованным распределением кристаллитов по форме и размерам
К. Ю. Черноглазовa, С. Н. Николаевa, В. В. Рыльковa,f 1), А. С. Семисаловаb,c, А. В. Зенкевичd, В. В. Тугушевa, А. Л. Васильевa, Ю. М. Чесноковa, Э. М. Пашаевa, Ю. А. Матвеевd, А. Б. Грановскийb, О. А. Новодворскийe, А. С. Веденеевf, А. С. Бугаевd,f, А. Драченкоg 2), Ш. Жoуc,2)
aНациональный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия bМосковский государственный университет им. Ломоносова, 119991 Москва, Россия cHelmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, 01328 Dresden, Germany dМосковский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия eИнститут проблем лазерных и информационных технологий РАН, 140700 Шатура, Россия fФрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Россия gLaboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, UPR 3228, CNRS-UJF-UPS-INSA, Toulouse, France
Abstract
Исследованы структурные, транспортные и магнитные свойства
поликристаллических
пленок Si1-xMnx , полученных
методом импульсного лазерного осаждения на
подложках Al2O3 (0001) в "теневой" геометрии, когда
элементы осаждаются при малой
энергии за счет столкновения с атомами буферного газа.
Намагниченность данных пленок
определяется двумя ферромагнитными фазами:
высокотемпературной c температурой Кюри
K и низкотемпературной c K.
При этом аномальный эффект Холла (АЭХ) с
понижением температуры изменяет знак с положительного на отрицательный при
температуре 30-50 К, зависящей от толщины MnxSi1-x
пленки. Результаты объясняются
структурной самоорганизацией, связанной с
формированием в процессе роста двух слоев,
близких по химическому составу, но существенно различающихся
по форме и размерам кристаллитов, что приводит к кардинальному
отличию в TC, величине и знаке АЭХ этих слоев.
|