Притяжение топологических дефектов в графене
А. И. Подливаев, Л. А. Опенов
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
Abstract
Посредством компьютерного моделирования изучено взаимодействие топологических дефектов Стоуна-Уэльса в графене. Обнаружены такие конфигурации двух дефектов, энергия которых лежит ниже энергии монослоя с двумя удаленными друг от друга дефектами. Это свидетельствует о взаимном притяжении дефектов и указывает на возможность образования их скоплений. Причиной притяжения является интерференция создаваемых дефектами волнообразных искажений структуры монослоя. Амплитуда поперечных смещений атомов в окрестности пары дефектов при этом достигает 2-3 Å. Такая сильная деформация графена дефектами Стоуна-Уэльса может служить одной из причин его "помятой" текстуры, наблюдаемой на эксперименте.