Home
| VOLUME 103 (2016) | ISSUE 11 | PAGE 755 |
|---|
|
Импульсная фотопроводимость алмаза при квазистационарном возбуждении лазерным излучением на 222 нм в условиях существования электронно-дырочной жидкости
Е. И. Липатов, Д. Е. Генин, В. Ф. Тарасенко
Институт сильноточной электроники СО РАН, 634055 Томск, Россия
Abstract
В поликристаллическом алмазном образце, синтезированном методом газохимического осаждения, наблюдалось увеличение тока импульсной фотопроводимости на порядок величины в условиях существования электронно-дырочной жидкости. Возбуждение неравновесных носителей заряда производилось лазерным излучением на длине волны 222 нм длительностью 18 нс на полувысоте с пиковой интенсивностью более 2.5 МВт/см2 и при охлаждении образца до 90 К. При воздействии излучением с пиковой интенсивностью менее 1 МВт/см2 охлаждение образца от 300 до 90 К вызывало уменьшение тока импульсной фотопроводимости в  раз. Предположено, что наблюдавшееся
увеличение тока импульсной фотопроводимости связано с конденсацией
электронно-дырочной жидкости.
|