Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 103 (2016) | ISSUE 11 | PAGE 755
Импульсная фотопроводимость алмаза при квазистационарном возбуждении лазерным излучением на 222 нм в условиях существования электронно-дырочной жидкости
Abstract
В поликристаллическом алмазном образце, синтезированном методом газохимического осаждения, наблюдалось увеличение тока импульсной фотопроводимости на порядок величины в условиях существования электронно-дырочной жидкости. Возбуждение неравновесных носителей заряда производилось лазерным излучением на длине волны 222 нм длительностью 18 нс на полувысоте с пиковой интенсивностью более 2.5 МВт/см2 и при охлаждении образца до 90 К. При воздействии излучением с пиковой интенсивностью менее 1 МВт/см2 охлаждение образца от 300 до 90 К вызывало уменьшение тока импульсной фотопроводимости в {\sim} 5 раз. Предположено, что наблюдавшееся увеличение тока импульсной фотопроводимости связано с конденсацией электронно-дырочной жидкости.