Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 103 (2016) | ISSUE 11 | PAGE 785
Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs
DOI: 10.7868/S0370274X16110060
Abstract
Кристаллическое строение новых самоорганизованных InSb/AlAs и AlSb/AlAs квантовых точек (КТ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследовано с помощью просвечивающей электронной микроскопии. Теоретические расчеты энергетического спектра КТ дополнены экспериментальными данными спектроскопии стационарной и время-разрешенной фотолюминесценции. Осаждение 1.5 монослоев InSb или AlSb на поверхность AlAs, выполненное в режиме атомно-слоевой эпитаксии, приводит к формированию псевдоморфно напряженных КТ, состоящих из твердых растворов InAlSbAs или AlSbAs, соответственно. В зависимости от состава твердого раствора КТ могут иметь энергетический спектр, как первого, так и второго рода. Основное дырочное состояние КТ принадлежит зоне тяжелых дырок, при этом энергия локализации дырки значительно превосходит энергию локализации электронов. В КТ первого рода основное электронное состояние принадлежит непрямой XXY долине зоны проводимости твердого раствора. В КТ второго рода основное электронное состояние принадлежит непрямой X долине зоны проводимости AlAs матрицы.