Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 103 (2016) | ISSUE 11 | PAGE 816
Генерация рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МэВ электронов с тонким Si кристаллом в камере бетатрона
DOI: 10.7868/S0370274X16110126
Abstract
Представлены результаты исследования генерации рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МэВ электронов с Si кристаллом толщиной 50 мкм и длиной 4 мм вдоль пучка электронов, установленном в гониометре внутри камеры бетатрона Б-18. Результаты демонстрируют сильные изменения угловых распределений тормозного излучения при изменении ориентации кристалла, что отсутствует в случае геометрии перпендикулярного падения электронов на поверхность тонкого кристалла, если нет эффектов каналирования электронов, которые реализуются при его определенных ориентациях. Получены изображения эталонной микроструктуры, которые продемонстрировали высокое разрешение ее деталей за счет малого размера источника излучения. Продемонстрировано изменение контраста изображения от положения микроструктуры в конусе излучения.