Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 104 (2016) | ISSUE 1 | PAGE 38
Формирование, структура и свойства "сварных" h-BN/графен соединений
DOI: 10.7868/S0370274X16130099
Abstract
Рассмотрены структуры из бислоя h-BN/графен с отверстиями, в которых атомы на краях соединены между собой sp2-гибридизованными связями C-B и C-N и образуют непрерывные переходы от слоя к слою с топологическими дефектами внутри отверстий. Изучены их формирование, стабильная атомная структура таких соединений муарового типа (с различными углами поворота графена относительно монослоя гексагонального нитрида бора) с замкнутыми гексагональными отверстиями, расположенными в центрах АА упаковки муаровой сверхрешетки. Методом теории функционала электронной плотности проведено исследование стабильности, электронных и механических свойств таких двуслойных BN/графен наносеток. Показано, что они проявляют полупроводниковые свойства. Их электронные зонные структуры и механические характеристики отличаются от свойств отдельно взятых однослойных наносеток с теми же геометрией и расположением отверстий.