Home
| VOLUME 104 (2016) | ISSUE 2 | PAGE 107 |
|---|
|
Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe1)
В. С. Кривобок+× 2), С. Н. Николаев+, С. И. Ченцов+×, Е. Е. Онищенко+, В. С. Багаев+, В. И. Козловский+, С. В. Сорокин
 , И. В. Седова, С. В. Гронин, С. В. Иванов+Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия×Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
Abstract
На основе измерений низкотемпературной (5 K) микрофотолюминесценции в гетероструктуре с широкой квантовой ямой ZnSe/ZnMgSSe продемонстрировано существование изолированных (одиночных) дефектов, линии излучения которых претерпевают скачкообразное изменение спектрального положения на несколько мэВ в течение времени порядка 1-10 мин. Нестандартные свойства обнаруженных излучателей объяснены на основе представлений о системах, имеющих значительный дипольный момент в основном состоянии, таких как одиночные донорно-акцепторные пары или их аналоги, расположенные вблизи протяженных дефектов. |