Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум
С. А. Рожков, В. В. Бакин+, Д. В. Горшков, С. Н. Косолобов+, Г. Э. Шайблер+, А. С. Терехов+
+Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Экспериментально установлено, что перенос фотоэлектронов из
объема p-GaN (Cs,O)-фотокатода в вакуум сопровождается испусканием
каскада оптических фононов. В спектре квантовой эффективности
p-GaN (Cs,O)-фотокатода обнаружен экситонный пик, указывающий на
существенный вклад
электрон-дырочного взаимодействия в генерацию свободных электронов в
сильнолегированном p-GaN.
|