Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах
С. Н. Николаев+, В. С. Кривобок+, В. С. Багаев+, Е. Е. Онищенко+, А. В. Новиков*×, М. В. Шалеев*
+Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
*Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
×Нижегородский государственный университет им. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
Abstract
Экспериментально обнаружена тонкая структура спектра излучения
квазидвумерной (2D) электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в мелких SiGe/Si
квантовых ямах.
Дано объяснение этой структуры на основе представлений о скачках в
плотности состояний, возникающих за счет сосуществования в ЭДЖ легких и
тяжелых дырок, и о взаимодействии носителей заряда с колебаниями
зарядовой плотности в ЭДЖ.