О квантовых осцилляциях в перестраиваемом бислое графена
З. З. Алисултанов
Институт общей физики им. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
Институт физики им. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия
Дагестанский государственный университет, 367000 Махачкала, Россия
Abstract
В настоящей работе исследуются квантовые магнитные осцилляции плотности
состояний слабо-допированного бислоя графена в присутствии напряжения на
затворе. Показано, что в спектре осцилляций имеются дополнительные пики,
когда химический потенциал расположен в области инвертированной (за счет
напряжения на затворе) части энергетического спектра. Из-за инвертированной
зонной структуры квантовые осцилляции существуют и в недопированном графене,
когда химический потенциал находится внутри запрещенной щели. Дается четкая
физическая интерпретация полученных результатов.