Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 104 (2016) | ISSUE 5 | PAGE 311
Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной пленки HgTe
DOI: 10.7868/S0370274X16170045
Abstract
Экспериментально изучено аномальное магнитосопротивление (АМС), вызванное эффектами слабой антилокализации в трехмерном топологическом изоляторе на основе напряженной пленки теллурида ртути. Показано, что полученные результаты хорошо описываются универсальной теорией Zduniak et al. Обнаружено, что в области объемной щели величина АМС значительно меньше ожидаемой для системы дираковских фермионов. Предположено, что подобный факт может быть связан с наличием ненулевой эффективной массы дираковских фермионов. При заполнении объемных зон наблюдается существенный рост АМС, что свидетельствует о слабом взаимодействии поверхностных и объемных носителей заряда.