Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 104 | ISSUE 5 | PAGE 342
Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен-нитрид бора-графен гетероструктурах с двумя затворами
Abstract
Исследовано резонансное магнитотуннелирование в гетероструктурах с однослойными листами графена, разделенными барьером из гексагонального нитрида бора, и двумя затворами, что позволило изучить переходы между индивидуальными уровнями Ландау, принадлежащими разным графеновым слоям, ограниченными узким окном проводимости, ширина которого регулируется смещающим напряжением. Построены и идентифицированы трехмерные карты равновесной туннельной проводимости в зависимости от напряжений на обоих затворах, отражающие движение резонансов между различными комбинациями индивидуальных уровней Ландау в верхнем и нижнем слоях. Обнаруженная ступенчатая структура карт тока с плато и резкими перескоками между ними обусловлена пиннингом химических потенциалов на уровнях Ландау в двух графеновых слоях. Наличие на вольтамперных характеристиках (ВАХ) в магнитном поле областей отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пикового тока к долинному I_p/I_v\sim2 свидетельствует о высокой степени сохранения параллельной интерфейсам компоненты импульса при туннелировании.