Home
| VOLUME 104 (2016) | ISSUE 5 | PAGE 342 |
|---|
|
Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен-нитрид бора-графен гетероструктурах с двумя затворами
Ю. Н. Ханин+, Е. Е. Вдовин+, А. Мищенко*, Ж. С. Ту*2), А. Козиков*2), Р. В. Горбачев*2), К. С. Новоселов*2)
+Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия *School of Physics and Astronomy, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK
Abstract
Исследовано резонансное магнитотуннелирование в гетероструктурах с однослойными листами графена, разделенными барьером из гексагонального нитрида бора, и двумя затворами, что позволило изучить переходы между индивидуальными уровнями Ландау, принадлежащими разным графеновым слоям, ограниченными узким окном проводимости, ширина которого регулируется смещающим напряжением. Построены и идентифицированы трехмерные карты равновесной туннельной проводимости в зависимости от напряжений на обоих затворах, отражающие движение резонансов между различными комбинациями индивидуальных уровней Ландау в верхнем и нижнем слоях. Обнаруженная ступенчатая структура карт тока с плато и резкими перескоками между ними обусловлена пиннингом химических потенциалов на уровнях Ландау в двух графеновых слоях. Наличие на вольтамперных характеристиках (ВАХ) в магнитном поле областей отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пикового тока к долинному 
свидетельствует о высокой степени сохранения
параллельной интерфейсам компоненты
импульса при туннелировании.
|