Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 104 (2016) | ISSUE 7 | PAGE 480
Квантовый аномальный эффект Холла в гетероструктурах магнитно-модулированный топологический изолятор/нормальный изолятор
DOI: 10.7868/S0370274X16190036
Abstract
В работе теоретически изучается вопрос, как магнитная модуляция может быть использована для управления транспортными свойствами гетероструктур, сформированных тонкой пленкой трехмерного топологического изолятора, помещенной между обкладками нормального изолятора. С использованием  k• схемы в рамках континуального подхода показано, что электронные состояния системы поляризованы по спину, когда ультратонкие магнитные вставки инкорпорированы в пленку. Продемонстрировано, что: 1) амплитуда спиновой поляризации сильно зависит от позиции магнитной вставки в пленке; 2) существует оптимальная для реализации квантового аномального эффекта Холла позиция вставки, которая является функцией параметров материала, толщины пленки и интерфейсного потенциала на границе между топологическим и нормальным изоляторами. Для гетероструктуры с парой симметрично расположенных магнитных вставок рассчитана фазовая диаграмма, которая показывает ряд переходов между различными квантовыми режимами поперечной проводимости. В контексте представленных результатов предлагается последовательная интерпретация недавно установленных экспериментальных фактов.