Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек Ge/Si с резкой гетерограницей
А. И. Якимов+*, В. В. Кириенко+, В. А. Армбристер+, А. В. Двуреченский+×
+Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
×Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Измерены коэффициент фотоэлектрического усиления, спектры фототока
дырок в среднем инфракрасном диапазоне и межзонной фотолюминесценции в
массивах квантовых точек Ge/Si с различным элементным составом гетерограницы.
Диффузионное перемешивание материалов матрицы и квантовых точек
контролировалось выбором температуры заращивания слоев германия кремнием.
Обнаружено, что формирование резкой гетерограницы приводит к усилению
фототока дырок и гашению сигнала фотолюминесценции. Результаты объяснены
ростом времени жизни неравновесных дырок вследствие подавления процессов
захвата на связанные состояния квантовых точек.