Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-121
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 104 (2016) | ISSUE 7 | PAGE 530
Низкотемпературный вклад в резонансный туннельный кондактанс неупорядоченного N-I-N контакта
DOI: 10.7868/S0370274X16190115
Abstract
Получена формула для вклада Δ Gres (T) в резонансный туннельный кондактанс N-I-N (N - нормальный металл, I - изолятор) контакта со слабым (малые концентрации примеси) структурным беспорядком в I- слое, обусловленного низкотемпературным "размытием" электронных ферми- поверхностей в его N- берегах. Показано, что температурная зависимость Δ Gres (T) в таком "грязном" контакте качественно отличается от соответствующей зависимости Δ G0 (T) в "чистом" (без резонансных примесей в I-слое) контакте: Δ Gres(T) < 0, d(Δ Gres)/dT < 0; Δ G0(T) > 0, d(Δ G0)/dT > 0, что может служить экспериментальным тестом на наличие примесных туннельных резонансов в неупорядоченном I-слое.