Home
| VOLUME 104 (2016) | ISSUE 9 | PAGE 651 |
|---|
|
Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi2Se3
Л. Н. Овешников+*, В. А. Прудкогляд*, Е. И. Нехаева +*, А. Ю. Кунцевич*×, Ю. Г. Селиванов*, Е. Г. Чижевский*, Б. А. Аронзон+*
+Национальный исследовательский центр "Курчатовский Институт", 123182 Москва, Россия *Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия ×Национальный исследовательский университет Высшая Школа Экономики, 101000 Москва, Россия
Abstract
В работе исследовалась магнетопроводимость тонких пленок Bi2Se3 с защитным слоем Se, выращенных на подложках (111) BaF2. Наблюдаемая отрицательная магнетопроводимость в малых полях, обусловленная эффектом слабой антилокализации, так же как и осцилляции Шубникова-де Гааза в больших полях, определяется только перпендикулярной к плоскости пленки компонентой магнитного поля. Полученные экспериментальные результаты могут быть разумно объяснены в предположении наличия в исследуемых пленках двумерных топологически защищенных электронных состояний. При этом вклад этих состояний в полную проводимость системы оказывается определяющим. |