Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 104 (2016) | ISSUE 10 | PAGE 729
Терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора в режиме квазибаллистического транспорта
Abstract
Изучен терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора (ТИ) в HgTe квантовой яме, находящегося в режиме квазибаллистического транспорта. Обнаружено фотосопротивление (ФС), возникающее только в окрестности точки зарядовой нейтральности (ТЗН). Приложение магнитного поля до 4 Т в плоскости квантовой ямы приводит к росту ФС в пике, а также расширению области вблизи ТЗН, в которой оно существует. Приведенные результаты позволяют предположить, что наблюдаемое ФС обусловлено переходами c участием краевых дисперсионных веток двумерного ТИ.