Терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора в режиме квазибаллистического транспорта
З. Д. Квон+*, К. -М. Дантчер× 1), М. -Т. Шерр× 1), А. С. Ярошевич+ 2), Н. Н. Михайлов+*
+ Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
×Terahertz Center, University of Regensburg, D-93040 Regensburg, Germany
Abstract
Изучен терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического
изолятора (ТИ) в HgTe квантовой яме, находящегося в режиме
квазибаллистического транспорта. Обнаружено фотосопротивление (ФС),
возникающее только в окрестности точки зарядовой нейтральности (ТЗН).
Приложение магнитного поля до 4 Т в плоскости квантовой ямы приводит к
росту ФС в пике, а также расширению области вблизи ТЗН,
в которой оно существует. Приведенные результаты позволяют предположить,
что наблюдаемое ФС обусловлено переходами c участием краевых дисперсионных
веток двумерного ТИ.