Home
| VOLUME 104 (2016) | ISSUE 10 | PAGE 734 |
|---|
|
Наблюдение изменений доменной структуры спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением
С. И. Дорожкин+ 1), В. Уманский* 2), К. фон Клитцинг× 2), Ю. Х. Смет× 2)
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel ×Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-70569 Stuttgart, Germany
Abstract
На образце гетероструктуры GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой обнаружено, что в пределах одного индуцированного микроволновым излучением состояния со стремящимся к нулю сопротивлением возможны различные конфигурации доменов спонтанного электрического поля. Переходы между такими конфигурациями наблюдались при изменении как мощности излучения, так и магнитного поля. В общем случае конфигурация доменов оказывается сложнее существующих моделей. Для одной из наблюдавшихся конфигураций фрагмент распределения электрического поля в образце согласуется с ромбической доменной структурой, рассмотренной в работе I. G. Finkler and B. I. Halperin, Phys. Rev. B 79, 085315 (2009). |