Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 104 (2016) | ISSUE 10 | PAGE 734
Наблюдение изменений доменной структуры спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением
Abstract
На образце гетероструктуры GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой обнаружено, что в пределах одного индуцированного микроволновым излучением состояния со стремящимся к нулю сопротивлением возможны различные конфигурации доменов спонтанного электрического поля. Переходы между такими конфигурациями наблюдались при изменении как мощности излучения, так и магнитного поля. В общем случае конфигурация доменов оказывается сложнее существующих моделей. Для одной из наблюдавшихся конфигураций фрагмент распределения электрического поля в образце согласуется с ромбической доменной структурой, рассмотренной в работе I. G. Finkler and B. I. Halperin, Phys. Rev. B 79, 085315 (2009).