Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 104 (2016) | ISSUE 11 | PAGE 774
Возможности двухфотонной конфокальной микроскопии для томографии времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниковых материалах
DOI: 10.7868/S0370274X1623003X
Abstract
На примере кристаллов ZnSe рассмотрены перспективы использования двухфотонной конфокальной микроскопии для создания "плоских карт" времен жизни неравновесных носителей тока в полупроводниковых материалах и для исследования других прямозонных полупроводников и структур на их основе. Показана возможность формирования таких карт с шагом по глубине и пространственным разрешением по плоскости в несколько мкм до расстояний от поверхности до 1 мм. Сообщается о наблюдении с помощью этой методики неоднородностей в кристаллах и исследовании их структуры и люминесцентных характеристик.