Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 104 (2016) | ISSUE 12 | PAGE 845
Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками
Abstract
Исследована фотолюминесценция структур с двойными квантовыми точками (КТ), представляющими собой два вертикально-совмещенных Ge-нанокластера, в зависимости от толщины Si-слоя, разделяющего эти нанокластеры. Для структуры с оптимальной толщиной Si-слоя d=2 нм наблюдалось семикратное увеличение интегральной интенсивности фотолюминесценции по сравнению со структурами с большей толщиной d. Наблюдаемый эффект объясняется увеличением интеграла перекрытия волновых функций электрона и дырки в структуре с оптимальной толщиной спейсера. Увеличение интеграла перекрытия обеспечивается двумя факторами. Первый заключается в том, что электроны в данной структуре локализованы вблизи ребер оснований Ge-нанокластеров, и их волновые функции строятся из состояний Δ долин, ориентированных в k-пространстве перпендикулярно направлению роста [001]. Это приводит к увеличению вероятности проникновения электронов в Ge-области, служащие барьером для электронов. Вторым фактором является неоднородное распределение КТ в плоскости массива (001) - квантовые точки собираются в плотные группы из нескольких КТ. Сильная туннельная связь между точками в группе увеличивает вероятность нахождения дырки на краю квантовой точки, что также способствует увеличению вероятности излучательной рекомбинации.